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Référence fabricant | GP10W-E3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-GP10W-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
GP10W-E3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1500V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10W-E3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP10W-E3/54-FT |
VS-10BQ030TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ040TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ060TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ100TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20BQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20BQ030TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EGH02HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel