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Référence fabricant | GP10QHE3/73 |
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Numéro de pièce future | FT-GP10QHE3/73 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
GP10QHE3/73 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10QHE3/73 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP10QHE3/73-FT |
GP10BE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10BE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10BEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10BEHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10BHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10BHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10D-4003-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10D-4003-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel