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Référence fabricant | GLF2012T2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-GLF2012T2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GLF |
GLF2012T2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 700mA |
Courant - Saturation | 210mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 100 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | - |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.053" (1.35mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GLF2012T2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GLF2012T2R2M-FT |
MLG1005S75NHT000
TDK Corporation
MLG1005S75NHTD25
TDK Corporation
MLG1005S75NJT000
TDK Corporation
MLG1005S7N5HT000
TDK Corporation
MLG1005S7N5HTD25
TDK Corporation
MLG1005S82NHT000
TDK Corporation
MLG1005S82NHTD25
TDK Corporation
MLG1005S82NJT000
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MLG1005S82NJTD25
TDK Corporation
MLG1005S8N2HT000
TDK Corporation
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
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5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel