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Référence fabricant | GL41JHE3/96 |
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Numéro de pièce future | FT-GL41JHE3/96 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
GL41JHE3/96 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL41JHE3/96 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GL41JHE3/96-FT |
RGL41GHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41JHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41JHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41K-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41J/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel