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Référence fabricant | GL41DHE3/96 |
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Numéro de pièce future | FT-GL41DHE3/96 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
GL41DHE3/96 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL41DHE3/96 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GL41DHE3/96-FT |
RGL41BHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41D-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41DHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41DHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41G-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41GHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41GHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41JHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41JHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41K-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel