maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / GL34B-E3/83
Référence fabricant | GL34B-E3/83 |
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Numéro de pièce future | FT-GL34B-E3/83 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
GL34B-E3/83 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 500mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AA (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AA (GL34) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL34B-E3/83 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GL34B-E3/83-FT |
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FN6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FN6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH01W-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH01WHM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH02W-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH02WHM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel