maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / GJM1555C1H9R2BB01D
Référence fabricant | GJM1555C1H9R2BB01D |
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Numéro de pièce future | FT-GJM1555C1H9R2BB01D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GJM |
GJM1555C1H9R2BB01D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 9.2pF |
Tolérance | ±0.1pF |
Tension - nominale | 50V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0402 (1005 Metric) |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.022" (0.55mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GJM1555C1H9R2BB01D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GJM1555C1H9R2BB01D-FT |
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M2GL050T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
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5SGXMA3E2H29I2L
Intel
XC4VFX60-10FF672I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SG
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EP1S80F1508C6N
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