maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / GJM0336C1E8R2DB01D
Référence fabricant | GJM0336C1E8R2DB01D |
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Numéro de pièce future | FT-GJM0336C1E8R2DB01D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GJM |
GJM0336C1E8R2DB01D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 8.2pF |
Tolérance | ±0.5pF |
Tension - nominale | 25V |
Coéfficent de température | C0H |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Taille / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.013" (0.33mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GJM0336C1E8R2DB01D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GJM0336C1E8R2DB01D-FT |
GRM0335C1E200JA01D
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A3P125-PQ208
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M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
XC6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
10AX115N4F40E3SG
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
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