maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GIB2404HE3/81
Référence fabricant | GIB2404HE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-GIB2404HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GIB2404HE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GIB2404HE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GIB2404HE3/81-FT |
40CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L15CTS
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030S
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
43CTQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
43CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
43CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
47CTQ020S
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel