maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GIB2403HE3/81
Référence fabricant | GIB2403HE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-GIB2403HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GIB2403HE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GIB2403HE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GIB2403HE3/81-FT |
32CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L15CTS
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030S
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
43CTQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation