maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GIB2401HE3/81
Référence fabricant | GIB2401HE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-GIB2401HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GIB2401HE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GIB2401HE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GIB2401HE3/81-FT |
30CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030S
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel