maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / GI821-E3/54
Référence fabricant | GI821-E3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-GI821-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GI821-E3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 200ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 300pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | P600, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | P600 |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GI821-E3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GI821-E3/54-FT |
1N4150W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation