maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / GE28F320C3BC90
Référence fabricant | GE28F320C3BC90 |
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Numéro de pièce future | FT-GE28F320C3BC90 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GE28F320C3BC90 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile |
Taille mémoire | 256Mb (8M x 32) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 5.5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 3V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GE28F320C3BC90 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GE28F320C3BC90-FT |
IS62WV10248EBLL-45BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV12816EALL-55BLI
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AT40K20AL-1BQU
Microchip Technology
A54SX16P-TQG144I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQ176
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Xilinx Inc.
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Intel