maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / GDZ8V2B-E3-18
Référence fabricant | GDZ8V2B-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ8V2B-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ8V2B-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ8V2B-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ8V2B-E3-18-FT |
GDZ33B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
EPF10K10TI144-4N
Intel
XC5204-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1CQ208M
Microsemi Corporation
AGL125V2-VQ100
Microsemi Corporation
AT40K10-2RQC
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel