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Référence fabricant | GDZ13B-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ13B-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ13B-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 37 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 10V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ13B-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ13B-G3-18-FT |
BZX384C43-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C4V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel