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Référence fabricant | GDZ12B-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ12B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ12B-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 9V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ12B-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ12B-HE3-18-FT |
BZX384C3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation