maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / GDZ12B-HE3-18
Référence fabricant | GDZ12B-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ12B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ12B-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 9V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ12B-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ12B-HE3-18-FT |
BZX384C3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1AFS1500-FG256I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7M15C8N
Intel
XA6SLX16-2CSG225Q
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9C7F23C8N
Intel