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Référence fabricant | GDZ11B-HG3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ11B-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ11B-HG3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 8V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ11B-HG3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ11B-HG3-18-FT |
BZX384C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4VFX140-11FF1517C
Xilinx Inc.
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL050-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG256
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-3
Intel
EPF10K100AFC484-3
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
5SGXEA5K3F35I4N
Intel
LCMXO3LF-4300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35C5N
Intel