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Référence fabricant | GDZ11B-E3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ11B-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ11B-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 8V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ11B-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ11B-E3-08-FT |
BZX384C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40HX1K-TQ144
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-1FGG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PLG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2N
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
EP1S30F780C7N
Intel