maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GDP24D060B
Référence fabricant | GDP24D060B |
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Numéro de pièce future | FT-GDP24D060B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Amp+™ |
GDP24D060B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 12A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 135°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP24D060B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDP24D060B-FT |
DPF80C200HB
IXYS
DSA70C200HB
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DSA80C100PB
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DPG20C200PB
IXYS
EPF10K20TC144-4
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-2FTG256C
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XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC256-1N
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10M50DCF672C8G
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XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
EPF10K50VRC240-3N
Intel