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Référence fabricant | GD5F4GQ4UBYIGY |
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Numéro de pièce future | FT-GD5F4GQ4UBYIGY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD5F4GQ4UBYIGY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 120MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD5F4GQ4UBYIGY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD5F4GQ4UBYIGY-FT |
71V016SA10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel