maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / GD5F4GQ4UBYIGR
Référence fabricant | GD5F4GQ4UBYIGR |
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Numéro de pièce future | FT-GD5F4GQ4UBYIGR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD5F4GQ4UBYIGR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 120MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD5F4GQ4UBYIGR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD5F4GQ4UBYIGR-FT |
71016S20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel