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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UF9IGR

Numéro de pièce MFG
GD5F2GQ4UF9IGR
quantité disponible
61140 Pièces
Prix de référence
USD 3.240504
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Brève description
- SPI NAND FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
GD5F2GQ4UF9IGR.pdf
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GD5F2GQ4UF9IGR Caractéristiques

Référence fabricant GD5F2GQ4UF9IGR
Numéro de pièce future FT-GD5F2GQ4UF9IGR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
GD5F2GQ4UF9IGR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND
Taille mémoire 2Gb (256M x 8)
Fréquence d'horloge 120MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 700µs
Temps d'accès -
Interface mémoire SPI - Quad I/O
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-WLGA Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur 8-LGA (6x8)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GD5F2GQ4UF9IGR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange GD5F2GQ4UF9IGR-FT

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