maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GC2X5MPS12-247
Référence fabricant | GC2X5MPS12-247 |
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Numéro de pièce future | FT-GC2X5MPS12-247 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GC2X5MPS12-247 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 27A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GC2X5MPS12-247 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GC2X5MPS12-247-FT |
GSXD080A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A018S1-D3
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GSXF060A100S1-D3
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GSXD060A020S1-D3
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GSXF100A040S1-D3
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GSXD050A008S1-D3
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GSXD120A015S1-D3
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GSXD030A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A006S1-D3
Global Power Technologies Group
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
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5SGXMA5K3F35C3N
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10AX016E3F27I2LG
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10AX016E3F27E1SG
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Intel