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Référence fabricant | GC10MPS12-220 |
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Numéro de pièce future | FT-GC10MPS12-220 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GC10MPS12-220 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 54A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 660pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GC10MPS12-220 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GC10MPS12-220-FT |
GKN240/18
GeneSiC Semiconductor
GKR240/18
GeneSiC Semiconductor
GKN130/18
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10AX066N2F40I1SG
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