maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU806TB
Référence fabricant | GBU806TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBU806TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU806TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU806TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU806TB-FT |
GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L05HD2G
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GBU15L06HD2G
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GBU401 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
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GBU403 D2G
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LCMXO2-2000ZE-3TG100C
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A54SX32A-1TQG176
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A42MX09-FVQG100
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5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
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LFE2-6E-6F256C
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LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation