maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU806GTB
Référence fabricant | GBU806GTB |
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Numéro de pièce future | FT-GBU806GTB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU806GTB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU806GTB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU806GTB-FT |
GBU1003 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005 D2G
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GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006HD2G
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GBU1007HD2G
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GBU15L05HD2G
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GBU15L06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-VQ80I
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XC2VP70-6FFG1517C
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XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
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EPF10K100EBC356-2
Intel