maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU806GTB
Référence fabricant | GBU806GTB |
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Numéro de pièce future | FT-GBU806GTB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU806GTB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU806GTB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU806GTB-FT |
GBU1003 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel