maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU806 D2G
Référence fabricant | GBU806 D2G |
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Numéro de pièce future | FT-GBU806 D2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU806 D2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU806 D2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU806 D2G-FT |
DBLS104G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS8 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS157G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS6 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS103G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
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M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256
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ICE5LP4K-CM36ITR1K
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10CX220YU484I5G
Intel
LFE2M50E-5FN900C
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LFE2M35E-5FN484I
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LFE2-20SE-5F484I
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LCMXO640C-3M100I
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