maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU801HD2G
Référence fabricant | GBU801HD2G |
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Numéro de pièce future | FT-GBU801HD2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GBU801HD2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU801HD2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU801HD2G-FT |
DBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15J REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation
RABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS107G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS203G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15JHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel