maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU801HD2G
Référence fabricant | GBU801HD2G |
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Numéro de pièce future | FT-GBU801HD2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GBU801HD2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU801HD2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU801HD2G-FT |
DBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15J REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation
RABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS107G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS203G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15JHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel