maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU606-G
Référence fabricant | GBU606-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBU606-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU606-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU606-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU606-G-FT |
BR5010-G
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BR1010SG-G
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XC2S100-6FGG256C
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XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
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A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
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EP4SGX290KF40I4
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5SGXMA7N1F45C1N
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5SGXEB5R2F43I2LN
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LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation