maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU4JL-7002E3/45
Référence fabricant | GBU4JL-7002E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-GBU4JL-7002E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU4JL-7002E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4JL-7002E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU4JL-7002E3/45-FT |
G2SB60L-5751M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5752E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5753E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5753E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB80-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SBA60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SBA60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SBA60L-5700E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel