maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU410GTB
Référence fabricant | GBU410GTB |
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Numéro de pièce future | FT-GBU410GTB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU410GTB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU410GTB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU410GTB-FT |
GBU401 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
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GBU403 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404 D2G
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GBU404HD2G
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GBU405HD2G
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GBU406HD2G
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A40MX02-VQG80A
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A54SX32A-TQG144I
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5SGSMD6K2F40C2N
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5SGXMA4K2F40C3N
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5SGXEA7H1F35C1N
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Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
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A42MX09-PQ100I
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LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation