maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU10M-BP
Référence fabricant | GBU10M-BP |
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Numéro de pièce future | FT-GBU10M-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU10M-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10M-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU10M-BP-FT |
VS-UFH60BA65
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC102
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT100KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT140KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70MT160PBPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2KBB80R
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2KBB20R
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-2
Intel
EP4CE22F17C8LN
Intel
EPF10K100EFC256-2X
Intel
EP3SE110F1152I4
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL060V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40I1SG
Intel