maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU10J-BP
Référence fabricant | GBU10J-BP |
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Numéro de pièce future | FT-GBU10J-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU10J-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10J-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU10J-BP-FT |
VS-KBPC102
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT100KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT140KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70MT160PBPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2KBB80R
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2KBB20R
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2KBB60R
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YU484I5G
Intel
LFE2M50E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation