Référence fabricant | GBU10D |
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Numéro de pièce future | FT-GBU10D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU10D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU10D-FT |
VUO160-08NO7
IXYS
VUO125-12NO7
IXYS
VUO110-12NO7
IXYS
VUO110-16NO7
IXYS
VUM33-05N
IXYS
VUM24-05N
IXYS
VUE75-06NO7
IXYS
VBO13-12AO2
IXYS
VBO13-16AO2
IXYS
VBO20-16AO2
IXYS
ICE5LP4K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6FTG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-1FBG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-6SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU256C6G
Intel
EP4CGX15BF14I7
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC2V3000-5BG728I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP20K200CB356C8
Intel