Référence fabricant | GBU10D |
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Numéro de pièce future | FT-GBU10D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU10D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU10D-FT |
VUO160-08NO7
IXYS
VUO125-12NO7
IXYS
VUO110-12NO7
IXYS
VUO110-16NO7
IXYS
VUM33-05N
IXYS
VUM24-05N
IXYS
VUE75-06NO7
IXYS
VBO13-12AO2
IXYS
VBO13-16AO2
IXYS
VBO20-16AO2
IXYS
EP2C5T144I8
Intel
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SFC256-1X
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
XC5VLX50-1FFG324CES
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
AX500-FGG676I
Microsemi Corporation
EP4SE230F29C2
Intel