maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU1006TB
Référence fabricant | GBU1006TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBU1006TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU1006TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1006TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU1006TB-FT |
GBU1005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
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10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel