maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU10005TB
Référence fabricant | GBU10005TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBU10005TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU10005TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10005TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU10005TB-FT |
GBU401HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU601 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144I
Microsemi Corporation
XC2V250-4FGG256C
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LFE2-12E-6QN208I
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AX250-FGG484
Microsemi Corporation
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Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation