maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBPC5010M T0G
Référence fabricant | GBPC5010M T0G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBPC5010M T0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBPC5010M T0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 25A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC40-M |
Package d'appareils du fournisseur | GBPC40-M |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5010M T0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBPC5010M T0G-FT |
B2S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division
B4S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMB4S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMB2S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB2S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB2S/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB2S45
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMB2S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3504W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC3512W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGSMD6K3F40C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel