maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBL207HD2G
Référence fabricant | GBL207HD2G |
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Numéro de pièce future | FT-GBL207HD2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GBL207HD2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBL |
Package d'appareils du fournisseur | GBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL207HD2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBL207HD2G-FT |
HDBLS101G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS102G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS104G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS105G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS106G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
RDBLS207G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
RDBLS207G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel