Référence fabricant | GBL08 |
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Numéro de pièce future | FT-GBL08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBL08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBL |
Package d'appareils du fournisseur | GBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBL08-FT |
B485H-2
Sensata-Crydom
LVE1560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
LVE2560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
M50100TB400
Sensata-Crydom
M5060TB1600
Sensata-Crydom
FTB1F-15FTR
SMC Diode Solutions
FTB2F-15FTR
SMC Diode Solutions
FTB4F-15FTR
SMC Diode Solutions
FTB8F-15FTR
SMC Diode Solutions
GBPC25005TA
SMC Diode Solutions
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel