Référence fabricant | GBL08-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBL08-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBL08-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL08-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBL08-G-FT |
SBR05M60BLP-7
Diodes Incorporated
SBR05M100BLP-7
Diodes Incorporated
SDM1L30BLP-13
Diodes Incorporated
SBR2A40BLP-13
Diodes Incorporated
LBS10-13
Diodes Incorporated
HDS10M-13
Diodes Incorporated
HDS20M-13
Diodes Incorporated
MSB10M-13
Diodes Incorporated
DFBR030U3LP-13
Diodes Incorporated
RDBF1510U-13
Diodes Incorporated
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel