maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ806-BP
Référence fabricant | GBJ806-BP |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ806-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ806-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ806-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ806-BP-FT |
MB104
Micro Commercial Co
MB104-BP
Micro Commercial Co
MB106
Micro Commercial Co
MB106-BP
Micro Commercial Co
MB108
Micro Commercial Co
MB108-BP
Micro Commercial Co
MB805
Micro Commercial Co
MB805-BP
Micro Commercial Co
MB81
Micro Commercial Co
MB81-BP
Micro Commercial Co
LFEC3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FG484I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F23C9LN
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
5SGXEA7N1F45C2L
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
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EP1S30F780C7
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel