maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ806-BP
Référence fabricant | GBJ806-BP |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ806-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ806-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ806-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ806-BP-FT |
MB104
Micro Commercial Co
MB104-BP
Micro Commercial Co
MB106
Micro Commercial Co
MB106-BP
Micro Commercial Co
MB108
Micro Commercial Co
MB108-BP
Micro Commercial Co
MB805
Micro Commercial Co
MB805-BP
Micro Commercial Co
MB81
Micro Commercial Co
MB81-BP
Micro Commercial Co
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel