maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ610TB
Référence fabricant | GBJ610TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ610TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ610TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 6A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ610TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ610TB-FT |
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel