maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ601-F
Référence fabricant | GBJ601-F |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ601-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ601-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ601-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ601-F-FT |
MB256
Diodes Incorporated
MB3505
Diodes Incorporated
MB3505-F
Diodes Incorporated
MB351
Diodes Incorporated
MB351-F
Diodes Incorporated
MB3510
Diodes Incorporated
MB352
Diodes Incorporated
MB352-F
Diodes Incorporated
MB354
Diodes Incorporated
MB354-F
Diodes Incorporated
ICE5LP4K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6FTG256C
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XC7K70T-1FBG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-6SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU256C6G
Intel
EP4CGX15BF14I7
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC2V3000-5BG728I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP20K200CB356C8
Intel