maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ3506-BP
Référence fabricant | GBJ3506-BP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBJ3506-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ3506-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 17.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3506-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ3506-BP-FT |
MB108-BP
Micro Commercial Co
MB805
Micro Commercial Co
MB805-BP
Micro Commercial Co
MB81
Micro Commercial Co
MB81-BP
Micro Commercial Co
MB810
Micro Commercial Co
MB810-BP
Micro Commercial Co
MB82
Micro Commercial Co
MB82-BP
Micro Commercial Co
MB84
Micro Commercial Co
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel