maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ2510-06-G
Référence fabricant | GBJ2510-06-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ2510-06-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ2510-06-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2510-06-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ2510-06-G-FT |
KBJ6005G
Diodes Incorporated
KBJ602G
Diodes Incorporated
SBR05M60BLP-7
Diodes Incorporated
SBR05M100BLP-7
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LBS10-13
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HDS10M-13
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HDS20M-13
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Diodes Incorporated
EP2C5T144I8
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LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-3T100I
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EPF10K50SFC256-1X
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5AGXBA5D4F27C4N
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XC5VLX50-1FFG324CES
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XC4VLX15-12FFG676C
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XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
AX500-FGG676I
Microsemi Corporation
EP4SE230F29C2
Intel