maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ2508-03-G
Référence fabricant | GBJ2508-03-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ2508-03-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ2508-03-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2508-03-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ2508-03-G-FT |
BGX50AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies
ZXSBMR16PT8TA
Diodes Incorporated
PBU1007
Diodes Incorporated
PBU805
Diodes Incorporated
RS602
Diodes Incorporated
RS605
Diodes Incorporated
PBPC1001
Diodes Incorporated
PBPC1002
Diodes Incorporated
PBPC1003
Diodes Incorporated
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel