maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ25005-06-G
Référence fabricant | GBJ25005-06-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ25005-06-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ25005-06-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ25005-06-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ25005-06-G-FT |
PBPC1001
Diodes Incorporated
PBPC1002
Diodes Incorporated
PBPC1003
Diodes Incorporated
PBPC1004
Diodes Incorporated
PBPC1005
Diodes Incorporated
PBPC1006
Diodes Incorporated
PBPC1007
Diodes Incorporated
PBPC801
Diodes Incorporated
PBPC802
Diodes Incorporated
PBPC803
Diodes Incorporated
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel