maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ20005-G
Référence fabricant | GBJ20005-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ20005-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ20005-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ20005-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ20005-G-FT |
SBR05M100BLP-7
Diodes Incorporated
SDM1L30BLP-13
Diodes Incorporated
SBR2A40BLP-13
Diodes Incorporated
LBS10-13
Diodes Incorporated
HDS10M-13
Diodes Incorporated
HDS20M-13
Diodes Incorporated
MSB10M-13
Diodes Incorporated
DFBR030U3LP-13
Diodes Incorporated
RDBF1510U-13
Diodes Incorporated
RDBF2510-13
Diodes Incorporated
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel