maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ1010TB
Référence fabricant | GBJ1010TB |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBJ1010TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ1010TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1010TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ1010TB-FT |
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
EP2C35U484C7N
Intel
5SGXEA5K2F35C1N
Intel
LFX125EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-5UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3SG
Intel
5CGXFC3B6U15I7N
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel