maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ1010TB
Référence fabricant | GBJ1010TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ1010TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ1010TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1010TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ1010TB-FT |
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
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RMB6SHRCG
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MBS10HRCG
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MBS2 RCG
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MBS6 RCG
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MBS6HRCG
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XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
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M1A3P600-FG484
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M1A3P1000L-1FG256
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