maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ1010-BP
Référence fabricant | GBJ1010-BP |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ1010-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ1010-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1010-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ1010-BP-FT |
MD200S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD250S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD100S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD130S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD160S16M5-BP
Micro Commercial Co
MB354-BP
Micro Commercial Co
MB251D-BP
Micro Commercial Co
MB10S-TP
Micro Commercial Co
MB10M-BP
Micro Commercial Co
MB251W-BP
Micro Commercial Co
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A100T-1FG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3DQI
Microchip Technology
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C1N
Intel
LFEC33E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EQC208-3
Intel